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产品简介:
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APT60M75L2FLLG 是 Microsemi Corporation(现为 Microchip Technology 旗下品牌)生产的一款 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于功率 MOSFET 类别。该器件主要用于高功率、高频开关应用。 主要参数特点: - 类型:N 沟道 MOSFET - 最大漏极电流:60A - 漏源击穿电压:750V - 封装:支持高功率密度应用,具备良好的散热性能 应用场景包括: 1. 电源转换设备:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器,适用于需要高效率和高稳定性的工业电源系统。 2. 电机驱动:用于电动工具、工业自动化电机控制及电动汽车中的电机驱动电路。 3. 逆变器系统:常见于太阳能逆变器和储能系统中,用于将直流电转换为交流电。 4. UPS(不间断电源):在UPS系统中作为关键开关元件,实现快速切换与稳定供电。 5. 感应加热与焊接设备:适用于高频加热系统,具备良好的开关特性,提高系统效率。 6. 电动汽车充电设备:用于充电桩内部的功率转换模块,支持高电压和大电流工作。 该器件具备高耐压、大电流能力和良好的热稳定性,适合在高要求的工业和电力电子系统中使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Microsemi Power Products Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/6446-apt60m75l2fll-b-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | APT60M75L2FLLG |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | POWER MOS 7® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 5mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8930pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 195nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 75 毫欧 @ 36.5A,10V |
| 供应商器件封装 | 264 MAX™ [L2] |
| 功率-最大值 | 893W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-264-3,TO-264AA |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 73A (Tc) |