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- 型号： PHB38N02LT,118
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PHB38N02LT,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PHB38N02LT,118价格参考。NXP SemiconductorsPHB38N02LT,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PHB38N02LT,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PHB38N02LT,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 的 PHB38N02LT,118 是一款N沟道MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET），广泛应用于中小功率电源管理与开关控制场景。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高效率和优异的热稳定性，适合在紧凑型电子设备中实现高效电能转换。 典型应用场景包括：便携式消费类电子产品（如智能手机、平板电脑）中的电源开关与负载管理；电池供电设备（如电动工具、无线耳机）中的充放电控制；以及各类小型电源适配器、DC-DC转换模块中的开关电路。此外，因其具备良好的开关速度和较低的栅极电荷，PHB38N02LT,118也适用于电机驱动、LED驱动和继电器驱动等中低电流控制场合。 该MOSFET采用SOT-223封装，便于散热并节省PCB空间，适合对体积和功耗敏感的设计。在工业控制、家用电器和汽车电子（如车载小功率负载驱动）中也有广泛应用。其20V的漏源电压和高达38A的脉冲电流能力，使其在瞬态负载条件下仍能保持稳定运行。 综上，PHB38N02LT,118是一款高性能、高可靠性的单N沟道MOSFET，适用于需要高效开关、节能和紧凑设计的多种电子系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 44.7A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PHB38N02LT,118 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 800pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15.1nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 16 毫欧 @ 25A，5V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-2191-1 |
| 功率-最大值 | 57.6W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 44.7A （Tc） |
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