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Datasheet下载- 型号： BUK9Y22-30B,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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BUK9Y22-30B,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK9Y22-30B,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK9Y22-30B,115价格参考。NXP SemiconductorsBUK9Y22-30B,115封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 37.7A（Tc） 59.4W（Tc） LFPAK56，Power-SO8。您可以下载BUK9Y22-30B,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK9Y22-30B,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc.的BUK9Y22-30B,115是一款单N沟道增强型MOSFET，适用于中低功率开关应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和高效率特性，广泛用于以下场景： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关，适合电池供电设备和高效能电源模块。 2. 电机控制：用于小型电机、风扇或泵的驱动电路，提供快速开关和良好热稳定性。 3. 工业自动化：作为开关元件用于PLC、传感器模块或工业执行器控制。 4. 消费类电子产品：如智能家电、电动工具及LED照明驱动电路中的功率开关。 5. 汽车电子：用于车载电源系统、继电器替代或辅助电机控制，符合AEC-Q101标准，具备一定可靠性。 其封装小巧（如LFPAK），便于PCB布局并节省空间，同时支持高密度设计。该MOSFET适合需要高效、可靠和紧凑设计的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 37.7A LFPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | BUK9Y22-30B,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 940pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10.5nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 19 毫欧 @ 20A，10V |
| 供应商器件封装 | LFPAK56， Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-5527-6 |
| 功率-最大值 | 59.4W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669，4-LFPAK |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 37.7A （Tc） |
