Datasheet下载- 型号： PSMN2R8-40PS,127
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN2R8-40PS,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN2R8-40PS,127价格参考。NXP SemiconductorsPSMN2R8-40PS,127封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN2R8-40PS,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN2R8-40PS,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN2R8-40PS,127 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款单N沟道增强型MOSFET，广泛应用于需要高效功率管理的场景。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和高耐压特性（40V），适合用于以下应用场景： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、负载开关及电池供电设备中的功率开关，提高能效并减少热量产生。 2. 电机控制：可用于电动工具、无人机或机器人中的电机驱动电路，实现快速开关与精准控制。 3. 汽车电子：满足车载充电系统、LED照明模块或车身控制模块中对可靠性和效率的高要求。 4. 工业自动化：作为工业电机驱动器或PLC系统的功率开关元件，提供稳定性能。 5. 消费类电子产品：如笔记本电脑、平板电脑及智能家电中的电源管理系统。 该MOSFET采用小型化封装，节省PCB空间，适用于高密度设计，并具备良好的热稳定性，确保在高温环境下仍能可靠运行。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V TO220ABMOSFET N-CHAN 40V 100A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN2R8-40PS,127- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN2R8-40PS,127 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 211 W |
| Pd-功率耗散 | 211 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.3 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.3 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4491pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 71nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.8 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-7513-5 |
| 功率-最大值 | 211W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Tmb） |
| 配置 | Single |
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