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Datasheet下载- 型号： FDB088N08
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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FDB088N08产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDB088N08由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDB088N08价格参考。Fairchild SemiconductorFDB088N08封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 75V 120A（Tc） 160W（Tc） D²PAK。您可以下载FDB088N08参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDB088N08 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDB088N08 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻、高效率和良好热性能的特点。其主要参数包括：最大漏源电压（VDS）为80V，连续漏极电流（ID）可达180A，适用于高功率和高频开关应用。 该MOSFET广泛应用于以下场景： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、同步整流器、电源模块等，用于高效能电能转换。 2. 电机控制：用于电动车、工业电机、无刷电机驱动器中，实现电机的高效调速与控制。 3. 负载开关：在电源管理系统中作为高侧或低侧开关，用于控制大电流负载的通断。 4. 电池管理系统（BMS）：用于电动工具、储能系统和新能源汽车中，实现对电池充放电的高效控制。 5. 逆变器与变频器：在太阳能逆变器、UPS不间断电源、工业变频设备中，作为核心开关元件实现电能形式的转换。 6. 汽车电子：如车载充电器、起停系统、电动助力转向系统等，满足汽车应用对可靠性和效率的高要求。 FDB088N08凭借其高电流能力和低导通损耗，特别适用于需要高效率和高功率密度的设计场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 75V 75A D2PAKMOSFET NCH 75V 8.8Mohm |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 85 A |
| Id-连续漏极电流 | 85 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDB088N08PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDB088N08 |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 160 W |
| Pd-功率耗散 | 160 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.3 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7.3 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 75 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 158 ns |
| 下降时间 | 102 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6595pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 118nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.8 毫欧 @ 75A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 其它名称 | FDB088N08DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 244 ns |
| 功率-最大值 | 160W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 1.312 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 75V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tc） |
| 系列 | FDB088N08 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
