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详细数据请看参考数据手册
- 型号： IRFH5020TR2PBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFH5020TR2PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFH5020TR2PBF价格参考。International RectifierIRFH5020TR2PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFH5020TR2PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFH5020TR2PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号 IRFH5020TR2PBF 是一款N沟道增强型MOSFET，属于晶体管中的FET类别。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、同步整流器等电源模块，提供高效能和低导通电阻，适合高频率开关应用。 2. 电机控制：可用于工业电机驱动器和电动工具中，作为功率开关，实现对电机速度和方向的精确控制。 3. 电池管理系统：在电动车、储能系统和便携式设备中，用于电池充放电管理和保护电路。 4. 负载开关与电源分配：在服务器、通信设备和工业控制系统中，作为高效率负载开关使用。 5. 照明系统：应用于LED照明驱动电路中，提供稳定电流控制与高效能转换。 该MOSFET具有低导通电阻、高耐压（200V）和良好的热性能，适用于需要高可靠性和高效率的中高功率应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 5.1A 8VQFN |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRFH5020TR2PBF |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 150µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2290pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 54nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 55 毫欧 @ 7.5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | PQFN（5x6）单芯片焊盘 |
| 其它名称 | IRFH5020TR2PBFDKR |
| 功率-最大值 | 3.6W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-VQFN |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.1A （Ta） |
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