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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFK220N15P由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFK220N15P价格参考。IXYSIXFK220N15P封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXFK220N15P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFK220N15P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFK220N15P是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有高电流、高耐压特性,适用于大功率开关应用。该器件的漏源电压(Vds)为150V,连续漏极电流可达220A,适合在高效率、高功率密度的电力电子系统中使用。 其主要应用场景包括: 1. 电源转换设备:如DC-DC转换器、开关电源(SMPS)中,用于高效能的电能转换与调节。 2. 电机驱动系统:适用于工业自动化、电动汽车、电动工具中的电机控制电路,提供快速开关与低导通损耗。 3. 逆变器与变频器:用于UPS不间断电源、太阳能逆变器、变频空调等设备中,实现直流到交流的能量转换。 4. 焊接设备:在高频逆变焊机中,IXFK220N15P可作为主开关元件,提升焊接效率与稳定性。 5. 电池管理系统(BMS):用于大容量电池组的充放电控制,适用于储能系统和电动车应用。 该MOSFET具有低导通电阻(Rds(on))、高热稳定性与耐久性,适合在高温、高负载环境下运行。同时,其封装形式便于散热设计,广泛应用于工业、通信、新能源等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 150V 220A TO-264MOSFET 220Amps 150V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 220 A |
Id-连续漏极电流 | 220 A |
品牌 | IXYS |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFK220N15PPolar™ HiPerFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | IXFK220N15P |
Pd-PowerDissipation | 1.25 kW |
Pd-功率耗散 | 1.25 kW |
Qg-GateCharge | 162 nC |
Qg-栅极电荷 | 162 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 9 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 9 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.5 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.5 V |
上升时间 | 28 ns |
下降时间 | 17 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 8mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 15400pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 162nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 9 毫欧 @ 500mA,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-264AA (IXFK) |
典型关闭延迟时间 | 56 ns |
功率-最大值 | 1250W |
包装 | 管件 |
商标 | IXYS |
商标名 | Polar, HiPerFET |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-264-3,TO-264AA |
封装/箱体 | TO-264-3 |
工厂包装数量 | 25 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 25 |
正向跨导-最小值 | 50 S |
漏源极电压(Vdss) | 150V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 220A (Tc) |
系列 | IXFK220N15 |
通道模式 | Enhancement |