Datasheet下载- 型号： IRFR12N25D
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR12N25D由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR12N25D价格参考。International RectifierIRFR12N25D封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFR12N25D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR12N25D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）旗下的型号 IRFR12N25D 是一款 N沟道增强型功率MOSFET，属于晶体管中的场效应晶体管（FET）类别。该器件主要适用于中高功率的开关应用。 主要应用场景包括： 1. 电源管理与转换系统：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS）等，适用于需要高效能、低损耗开关操作的场合。 2. 电机驱动与控制：用于电动工具、工业电机控制、电动车控制系统等，具备良好的导通电阻和电流承载能力，适合中功率电机的驱动应用。 3. 照明系统：例如LED照明驱动电源，适用于高频率开关环境，有助于减小变压器和电感体积，提高能效。 4. 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电控制、保护电路等，具备良好的热稳定性和响应速度。 5. 家用电器与消费电子产品：如变频空调、电磁炉、UPS不间断电源等产品中，作为核心开关元件使用。 该MOSFET具有250V耐压、12A电流能力，采用D²PAK封装，便于散热，适合中高功率密度设计。适用于工业控制、汽车电子、消费类电源等多个领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 250V 14A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRFR12N25D |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 810pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 260 毫欧 @ 8.4A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | *IRFR12N25D |
| 功率-最大值 | 144W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 250V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 14A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfru12n25d.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfru12n25d.spi |
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