Datasheet下载- 型号： ZXMN7A11GTA
- 制造商： Diodes Inc.
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMN7A11GTA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMN7A11GTA价格参考。Diodes Inc.ZXMN7A11GTA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ZXMN7A11GTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXMN7A11GTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZXMN7A11GTA 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC 转换器：用于降压或升压电路中的开关器件，提供高效的功率转换。 - 负载开关：作为负载开关控制电源的通断，适用于便携式设备和嵌入式系统。 - 电池保护电路：在电池管理系统中用作充放电路径的开关，防止过流或短路。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：用于驱动低功率直流电机，实现启停、调速等功能。 - H 桥电路：在 H 桥设计中作为开关元件，用于双向电机控制。 3. 信号切换 - 信号路由：在多路复用器或信号切换电路中，用于选择不同的输入/输出路径。 - 音频信号切换：在音频设备中切换不同的输入源，确保信号完整性。 4. 消费电子 - 智能手机和平板电脑：用于内部电源管理模块，如 USB 充电接口保护和电源分配。 - 笔记本电脑和显示器：作为背光驱动电路的一部分，调节 LED 驱动电流。 - USB-C 和 PD 控制：支持 USB Power Delivery 的动态电源分配功能。 5. 工业应用 - 传感器接口：用于工业传感器的电源控制和信号隔离。 - 继电器替代：在需要快速开关和高可靠性的场合，取代机械继电器。 6. 汽车电子 - 车载电子设备：如信息娱乐系统、车窗升降器和座椅加热器等的电源管理。 - LED 照明：用于汽车内外 LED 灯的驱动电路。 ZXMN7A11GTA 具有低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度和出色的热性能，非常适合上述应用场景中的高效功率转换和信号控制需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 70V 3.8A SOT-223MOSFET 70V N-Channel 3.8A MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.8 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMN7A11GTA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXMN7A11GTA |
| Pd-PowerDissipation | 3.9 W |
| Pd-功率耗散 | 3.9 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 130 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 130 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 70 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 70 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 2 ns |
| 下降时间 | 5.8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 298pF @ 40V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.4nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 130 毫欧 @ 4.4A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | ZXMN7A11GCT |
| 其它图纸 |
|
| 典型关闭延迟时间 | 11.5 ns |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 130 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 70 V |
| 漏极连续电流 | 3.8 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 70V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.7A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
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