Datasheet下载- 型号： NVD5863NLT4G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NVD5863NLT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVD5863NLT4G价格参考。ON SemiconductorNVD5863NLT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NVD5863NLT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NVD5863NLT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的NVD5863NLT4G是一款增强型功率MOSFET，属于N沟道场效应晶体管（FET），广泛应用于需要高效、高可靠性的电源管理系统中。该器件采用先进的沟槽技术制造，具备低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和良好的热稳定性，适用于中高功率场景。 典型应用场景包括： 1. 电源管理：常用于DC-DC转换器、同步整流电路和电压调节模块（VRM），提升电源转换效率； 2. 电机驱动：在工业控制、电动工具及家用电器的电机驱动电路中作为开关元件，实现精确控制； 3. 汽车电子：适用于车载电源系统、LED照明驱动和电池管理系统（BMS），满足汽车行业对高可靠性和温度耐受性的要求； 4. 消费电子：用于笔记本电脑、显示器、充电器等设备的电源管理单元； 5. 工业与通信设备：在服务器电源、UPS（不间断电源）及电信基础设施中提供高效能功率开关功能。 NVD5863NLT4G支持表面贴装（SOT-223封装），便于自动化生产，并具备符合AEC-Q101汽车级认证的优势，增强了其在严苛环境下的可靠性。整体而言，该MOSFET适合追求高效率、小型化和稳定性能的现代电子系统设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 14.9A DPAK-4 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NVD5863NLT4G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3850pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 70nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.1 毫欧 @ 41A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 14.9A （Ta）， 82A （Tc） |
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