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  • 型号: SSM3J118TU(TE85L)
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SSM3J118TU(TE85L)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SSM3J118TU(TE85L)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.SSM3J118TU(TE85L)封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SSM3J118TU(TE85L)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SSM3J118TU(TE85L) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET P-CH 30V 1.4A UFMMOSFET Vds=-30V Id=-1.4A 3Pin

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平栅极,4V 驱动

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 1.4 A

Id-连续漏极电流

- 1.4 A

品牌

ToshibaToshiba Semiconductor and Storage

产品手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/lookup.jsp?pid=SSM3J118TU&lang=en

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Toshiba SSM3J118TU(TE85L)-

数据手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3J118TU

产品型号

SSM3J118TU(TE85L)SSM3J118TU(TE85L)

Pd-PowerDissipation

800 mW

Pd-功率耗散

800 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

360 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

360 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 30 V

Vds-漏源极击穿电压

- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

-

不同Vds时的输入电容(Ciss)

137pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

240毫欧 @ 650mA, 10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

UFM

其它名称

SSM3J118TU(TE85L)DKR

功率-最大值

800mW

包装

Digi-Reel®

商标

Toshiba

安装类型

*

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

3-SMD,扁平引线

封装/箱体

UFM-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

1.5 S / 0.8 S

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

1.4A (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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