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Datasheet下载- 型号： SSM3J118TU(TE85L)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SSM3J118TU(TE85L)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SSM3J118TU(TE85L)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.SSM3J118TU(TE85L)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SSM3J118TU(TE85L)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SSM3J118TU(TE85L) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 SSM3J118TU(TE85L) 的 Toshiba Semiconductor and Storage 品牌产品是一款 P沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管中的FET类别。该器件常用于以下应用场景： 1. 电源管理电路：适用于电池供电设备中的负载开关控制，如笔记本电脑、平板电脑和便携式电子设备，用于提高能效和降低待机功耗。 2. DC-DC转换器：在低电压、中等电流的开关电源中作为同步整流器或开关元件，提升转换效率。 3. 电机驱动与继电器驱动：用于小型电机或继电器的开关控制，具有较低的导通电阻，有助于减少发热。 4. 负载开关与电源切换：适合用于多电源系统中实现自动切换或隔离不同电源域。 5. 汽车电子系统：如车载信息娱乐系统、传感器模块等对空间和功耗有要求的场景。 该MOSFET采用小型封装（如SOT-23或类似），适合高密度PCB布局，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于工业与消费类电子产品。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 1.4A UFMMOSFET Vds=-30V Id=-1.4A 3Pin |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，4V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 1.4 A |
| Id-连续漏极电流 | - 1.4 A |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/lookup.jsp?pid=SSM3J118TU&lang=en |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba SSM3J118TU(TE85L)- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3J118TU |
| 产品型号 | SSM3J118TU(TE85L)SSM3J118TU(TE85L) |
| Pd-PowerDissipation | 800 mW |
| Pd-功率耗散 | 800 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 360 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 360 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 137pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 240毫欧 @ 650mA， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | UFM |
| 其它名称 | SSM3J118TU(TE85L)DKR |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | * |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 3-SMD，扁平引线 |
| 封装/箱体 | UFM-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 1.5 S / 0.8 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.4A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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