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Datasheet下载- 型号： IRF7413ZPBF
- 制造商： International Rectifier
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7413ZPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7413ZPBF价格参考￥1.95-￥2.08。International RectifierIRF7413ZPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO。您可以下载IRF7413ZPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7413ZPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRF7413ZPBF是一款单通道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），其主要应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 电源管理 IRF7413ZPBF常用于开关电源、DC-DC转换器等电源管理系统中。由于其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，能够有效降低功耗并提高效率。在这些应用中，MOSFET作为开关元件，控制电流的通断，确保电源系统的稳定性和高效性。 2. 电机驱动 在电机驱动电路中，IRF7413ZPBF可以用于控制电机的启停、转向和调速。通过PWM（脉宽调制）信号控制MOSFET的开关频率，实现对电机转速的精确控制。其高耐压特性和低损耗使其适用于中小功率电机驱动场景，如家用电器、电动工具等。 3. 电池保护 该型号的MOSFET可用于电池保护电路中，防止过充、过放、短路等异常情况。MOSFET作为开关元件，在检测到异常时迅速切断电路，保护电池和其他电子设备的安全。 4. 逆变器 在太阳能逆变器和其他类型的逆变器中，IRF7413ZPBF可以用于将直流电转换为交流电。其快速开关速度和低损耗特性有助于提高逆变器的转换效率，减少能量损失，特别适用于小型光伏系统或便携式逆变器。 5. 负载开关 在各种电子产品中，IRF7413ZPBF可以用作负载开关，控制不同负载的供电状态。例如，在智能手机、平板电脑等移动设备中，MOSFET用于管理各个功能模块的电源分配，确保设备在待机或工作状态下的能耗优化。 6. 通信设备 在通信基站、路由器等设备中，IRF7413ZPBF可以用于电源管理和信号处理电路中，提供稳定的电源供应和高效的信号传输。其低噪声特性和高可靠性使其在通信领域具有广泛的应用前景。 总的来说，IRF7413ZPBF凭借其优异的电气性能和可靠性，适用于多种需要高效开关和低损耗的场合，尤其适合中小功率的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOICMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 10mOhms 9.5nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 13 A |
| Id-连续漏极电流 | 13 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7413ZPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7413ZPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 9.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 9.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 13 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 13 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 6.3 ns |
| 下降时间 | 3.8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.25V @ 25µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1210pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10 毫欧 @ 13A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 典型关闭延迟时间 | 11 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 95 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 95 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 13A （Ta） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf7413z.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf7413z.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
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