Datasheet下载- 型号： IPD60R600P6
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPD60R600P6由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPD60R600P6价格参考。InfineonIPD60R600P6封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPD60R600P6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPD60R600P6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为IPD60R600P6的晶体管，属于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别，主要用于高电压和高效率的电源转换系统。该器件具有600V的漏源击穿电压和较低的导通电阻，适用于需要高效能和高可靠性的电源应用。 IPD60R600P6的主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：广泛用于工业电源、服务器电源和电信设备中的DC-DC转换器或AC-DC转换器，以实现高效的电能转换。 2. 电机驱动：适用于工业自动化设备中的电机控制电路，如变频器、伺服驱动器等，提供快速开关和低损耗性能。 3. 照明系统：用于LED路灯或高功率照明设备中的电源管理模块，提高能效并减小系统体积。 4. 新能源领域：如太阳能逆变器和储能系统中，用于功率转换和能量管理。 5. 家电控制：在高端家电（如变频空调、洗衣机）的功率模块中用于电机控制和电源调节。 该MOSFET采用先进的技术，具备优异的热稳定性和耐用性，适合在高频率和高温环境下工作，是工业和高可靠性应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/DS_IPD60R600P6_2_0_Approved.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30433f2e70c5013f387663202734 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPD60R600P6 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CoolMOS™ P6 |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 557pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 600 毫欧 @ 2.4A，10V |
| 供应商器件封装 | DPAK |
| 其它名称 | IPD60R600P6DKR |
| 功率-最大值 | 63W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.3A （Tc） |
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