Datasheet下载- 型号： SI5476DU-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI5476DU-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI5476DU-T1-GE3价格参考。VishaySI5476DU-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI5476DU-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI5476DU-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI5476DU-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度的特性，适用于多种功率管理应用场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC 转换器：SI5476DU-T1-GE3 的低 Rds(on) 和快速开关能力使其非常适合用于高效能 DC-DC 转换器中的同步整流或开关应用。 - 负载开关：在便携式设备中，该 MOSFET 可用作负载开关，以实现快速开启/关闭和降低功耗。 - 电压调节模块 (VRM)：用于计算机、服务器和其他电子设备中的电压调节电路，提供稳定的电流输出。 2. 电机控制 - 小型直流电机驱动：由于其低导通电阻和良好的热性能，该器件可以高效地驱动小型直流电机。 - H 桥电路：在 H 桥设计中作为功率级元件，用于双向电机控制。 3. 电池管理系统 (BMS) - 电池保护：用于锂电池或其他可充电电池组的过流保护和短路保护。 - 充放电控制：通过精确控制电流流动，确保电池的安全充放电过程。 4. 消费类电子产品 - 智能手机和平板电脑：作为功率开关或负载开关，用于优化设备的能耗。 - 音频设备：在 D 类放大器中作为开关元件，提供高效的信号放大。 5. 通信和网络设备 - PoE（以太网供电）：用于 PoE 系统中的功率分配和管理。 - 路由器和交换机：作为功率开关或保护元件，确保设备稳定运行。 6. 工业应用 - 工业自动化：用于控制传感器、执行器或其他低功率工业设备。 - LED 驱动器：在大功率 LED 照明系统中，用作开关元件以调节电流。 特性优势 - 低 Rds(on)：减少传导损耗，提高效率。 - 高开关频率：支持高频应用，减小外部元件尺寸。 - 出色的热性能：能够在高温环境下稳定工作。 - 小型封装：节省 PCB 空间，适合紧凑型设计。 总之，SI5476DU-T1-GE3 广泛应用于需要高效功率转换和低损耗的场景，是现代电子设备中理想的功率管理解决方案之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 12A PPAK CHIPFETMOSFET 60V 12A 31W 34mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7 A |
| Id-连续漏极电流 | 7 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?73663 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI5476DU-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI5476DU-T1-GE3SI5476DU-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 3.1 W |
| Pd-功率耗散 | 3.1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 34 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 34 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 150 ns, 15 ns |
| 下降时间 | 60 ns, 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1100pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 32nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 34 毫欧 @ 4.6A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-PowerPak® ChipFet |
| 其它名称 | SI5476DU-T1-GE3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns, 22 ns |
| 功率-最大值 | 31W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerPak® CHIPFET™ |
| 封装/箱体 | PowerPAK-8 ChipFET Single |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI5476DU-GE3 |
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