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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD18N06由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD18N06价格参考。ON SemiconductorNTD18N06封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTD18N06参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTD18N06 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD18N06 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,常用于电源管理和功率转换应用。其主要应用场景包括: 1. 电源适配器与充电器:适用于笔记本电脑、手机等电子设备的AC-DC电源适配器和充电器中,作为开关元件,实现高效的能量转换。 2. DC-DC转换器:广泛应用于各类DC-DC电源转换电路中,如降压(Buck)、升压(Boost)和升降压(Buck-Boost)拓扑结构,用于调节电压,满足不同电子系统对电源的需求。 3. 负载开关与电源管理:可用于控制电源的通断,作为负载开关使用,保护电路免受过流或短路影响,提升系统稳定性和安全性。 4. 马达驱动与功率控制:在小型电机控制、风扇驱动、LED照明等功率控制应用中,作为高速开关使用,实现对负载的精确控制。 5. 工业自动化与电源模块:用于工业控制系统、电源模块和嵌入式系统中,提供高效、可靠的功率开关功能。 该MOSFET具备低导通电阻、高开关速度和良好热性能,适合中高功率应用,尤其在追求高效率和小体积设计的场合中表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 18A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD18N06 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 710pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 60 毫欧 @ 9A,10V |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 功率-最大值 | 55W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 18A (Ta) |