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  • 型号: NTD18N06
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTD18N06由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD18N06价格参考。ON SemiconductorNTD18N06封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTD18N06参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTD18N06 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NTD18N06 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,常用于电源管理和功率转换应用。其主要应用场景包括:

1. 电源适配器与充电器:适用于笔记本电脑、手机等电子设备的AC-DC电源适配器和充电器中,作为开关元件,实现高效的能量转换。

2. DC-DC转换器:广泛应用于各类DC-DC电源转换电路中,如降压(Buck)、升压(Boost)和升降压(Buck-Boost)拓扑结构,用于调节电压,满足不同电子系统对电源的需求。

3. 负载开关与电源管理:可用于控制电源的通断,作为负载开关使用,保护电路免受过流或短路影响,提升系统稳定性和安全性。

4. 马达驱动与功率控制:在小型电机控制、风扇驱动、LED照明等功率控制应用中,作为高速开关使用,实现对负载的精确控制。

5. 工业自动化与电源模块:用于工业控制系统、电源模块和嵌入式系统中,提供高效、可靠的功率开关功能。

该MOSFET具备低导通电阻、高开关速度和良好热性能,适合中高功率应用,尤其在追求高效率和小体积设计的场合中表现优异。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 60V 18A DPAK

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

NTD18N06

PCN过时产品

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rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

710pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

30nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

60 毫欧 @ 9A,10V

供应商器件封装

DPAK-3

功率-最大值

55W

包装

管件

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

标准包装

75

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

18A (Ta)

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