Datasheet下载- 型号： STB21NM60N-1
- 制造商： STMicroelectronics
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STB21NM60N-1由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB21NM60N-1价格参考。STMicroelectronicsSTB21NM60N-1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STB21NM60N-1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STB21NM60N-1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STB21NM60N-1是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于需要高效能开关操作的电路中。该器件具备较低的导通电阻和较高的耐压能力，适合用于中高功率场合。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器等电源管理系统中，实现高效的电能转换。 2. 电机控制：在电动工具、家用电器及工业自动化设备中，用于控制电机的启停与转速调节。 3. 照明系统：适用于LED照明驱动电路，特别是在高亮度LED应用中，提供稳定电流控制。 4. 汽车电子：用于车载电源系统、车灯控制、电动窗、座椅调节等汽车电子模块中，具有良好的可靠性和耐环境能力。 5. 消费类电子产品：如电视、音响、充电器等设备中作为功率开关元件使用。 该MOSFET采用TO-220封装，便于散热，适合通孔安装，适用于多种工业与消费类应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 17A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STB21NM60N-1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | MDmesh™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1900pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 66nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 220 毫欧 @ 8.5A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 其它名称 | 497-5728 |
| 功率-最大值 | 140W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 17A （Tc） |
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