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产品简介:
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IRF540ZSTRR 是由 Infineon Technologies 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其主要应用场景包括但不限于以下领域: 1. 开关电源(SMPS):IRF540ZSTRR 的低导通电阻和高切换效率使其非常适合用于开关电源中的功率开关,例如降压、升压或反激式转换器。 2. 电机驱动:这款 MOSFET 可以用作 H 桥电路的一部分,用于控制直流电机的转向和速度,或者在步进电机驱动器中作为功率级元件。 3. 逆变器:在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中,IRF540ZSTRR 能够将直流电转换为交流电,适用于中小型功率输出场合。 4. 负载切换:由于其良好的电气特性,该器件可以用来实现负载的快速接通与断开,广泛应用于各种电子设备的电源管理模块中。 5. 音频放大器:在某些高性能音频放大器设计里,IRF540ZSTRR 可充当输出级晶体管,提供强大的电流驱动能力以推动扬声器工作。 6. LED 照明系统:用于 LED 驱动电路中调节亮度及保护功能,确保照明系统的稳定运行。 7. 电池管理系统(BMS):参与电池充放电过程中的电流控制,保障电池安全并延长使用寿命。 总之,凭借其优越的性能参数(如最大漏源电压 VDS=100V、连续漏极电流 ID=23A、典型栅极阈值电压 VGS(th)=4V 和低 RDS(on)),IRF540ZSTRR 在需要高效能功率转换和控制的应用场景中表现出色。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | International Rectifier |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRF540ZSTRR |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | HEXFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1770pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 63nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 26.5 毫欧 @ 22A,10V |
供应商器件封装 | D2PAK |
功率-最大值 | 92W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 800 |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 36A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf540zs_l.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf540zs_l.spi |