Datasheet下载- 型号： NDF11N50ZH
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NDF11N50ZH由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NDF11N50ZH价格参考。ON SemiconductorNDF11N50ZH封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NDF11N50ZH参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NDF11N50ZH 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为NDF11N50ZH的ON Semiconductor晶体管属于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别，是一款N沟道增强型功率MOSFET。其主要参数包括最大漏源电压为500V，连续漏极电流约为11A，适用于中高功率应用。 该器件广泛应用于电源转换设备，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器等，能够高效地进行电能转换和调节。此外，NDF11N50ZH也常用于电机控制、照明系统（如LED驱动器）以及工业自动化设备中，作为高效的电子开关使用。 由于其具备较高的耐压能力和良好的导通特性，该MOSFET在需要快速开关和低损耗性能的场合表现出色。同时，它还适用于消费类电子产品和工业控制系统中的功率管理模块。 封装形式通常为TO-220或类似功率封装，便于散热并确保在高负载条件下的稳定运行。总体而言，NDF11N50ZH是一款性能可靠、适用范围广泛的功率MOSFET器件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N CH 500V 12A TO220FP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NDF11N50ZH |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1645pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 69nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 520 毫欧 @ 4.5A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 功率-最大值 | 39W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Tc） |
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