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产品简介:
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NTMFS4921NT3G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,常用于电源管理和负载开关等应用场景。该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高效率和良好热性能,适用于需要高效能和紧凑设计的系统。 典型应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、同步整流器、电池充电电路等,提高能量转换效率。 2. 负载开关:在服务器、笔记本电脑、移动设备中作为高边或低边开关,控制电源通断。 3. 电机驱动:用于小型电机或风扇的控制电路中,实现快速开关和低损耗。 4. LED照明:作为恒流源开关,用于高亮度LED驱动电路。 5. 工业控制系统:如PLC模块、传感器电源控制等,提供可靠和稳定的开关性能。 其SOT-223封装形式,便于散热和在PCB上的安装,适合高密度布局设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 8.8A SO8 FL |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NTMFS4921NT3G |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1400pF @ 12V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 11.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 6.95 毫欧 @ 30A,10V |
供应商器件封装 | 6-DFN,8-SO 扁平引线(5x6) |
功率-最大值 | 870mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-TDFN 裸焊盘(5 根引线) |
标准包装 | 5,000 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 8.8A (Ta), 58.5A (Tc) |