Datasheet下载- 型号： NTB30N20G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTB30N20G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTB30N20G价格参考。ON SemiconductorNTB30N20G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTB30N20G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTB30N20G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTB30N20G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，具有 30A 连续漏极电流和 200V 漏源击穿电压。其主要应用场景包括： 1. 电源转换设备：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器和开关电源（SMPS），适用于需要高效能和高稳定性的场合。 2. 电机驱动：用于工业自动化设备中的电机控制电路，提供高效的开关性能和良好的热稳定性。 3. 逆变器与UPS系统：在不间断电源（UPS）和逆变器中作为功率开关使用，支持高电压和大电流的快速切换。 4. 充电器与电池管理系统：适用于电动车、储能系统等需要高效率充放电管理的应用。 5. 照明系统：如LED路灯或工业照明中的功率控制部分，具备低导通电阻，有助于提高能效。 该MOSFET采用TO-220封装，便于散热，适合中高功率应用。其设计兼顾了开关速度与导通损耗，在多种工业和消费类电子产品中广泛使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTB30N20G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2335pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 100nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 81 毫欧 @ 15A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 30A （Ta） |
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