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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STI18N65M5由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STI18N65M5价格参考。STMicroelectronicsSTI18N65M5封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STI18N65M5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STI18N65M5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STI18N65M5是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。该器件具有低导通电阻、高耐压(650V)和良好的热稳定性,适用于多种电力电子设备。 其主要应用场景包括: 1. 电源适配器与充电器:用于笔记本电脑、手机等电子设备的高效开关电源中,提高能效并减小体积。 2. 工业电源与伺服驱动器:在工业自动化系统中作为功率开关,用于控制电机或电源转换模块。 3. LED照明驱动:用于高亮度LED照明系统的恒流驱动电路中,提供稳定高效的电流控制。 4. 家电控制:如电磁炉、变频空调等家用电器中的功率控制部分,实现节能与精确控制。 5. 电池管理系统(BMS):在电动汽车或储能系统中用于电池充放电管理,保障系统安全运行。 6. DC-DC转换器与PFC电路:在高效率电源转换系统中作为关键开关元件,提升整体能效。 总之,STI18N65M5凭借其高性能参数和可靠性,适用于多种中高功率应用场合,尤其适合对效率和散热有较高要求的设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N CH 650V 15A I2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | STMicroelectronics |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | STI18N65M5 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | MDmesh™ V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1240pF @ 100V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 31nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 220 毫欧 @ 7.5A,10V |
供应商器件封装 | I2PAK |
其它名称 | 497-13272-5 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF253690?referrer=70071840 |
功率-最大值 | 110W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 650V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 15A (Tc) |