Datasheet下载- 型号： IXTH30N60L2
- 制造商： IXYS
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTH30N60L2由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTH30N60L2价格参考。IXYSIXTH30N60L2封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXTH30N60L2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXTH30N60L2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS公司生产的IXTH30N60L2是一种MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别。该型号的MOSFET具有以下特性：耐压为600V，额定电流为30A，采用TO-247封装形式。其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS） IXTH30N60L2适用于开关电源中的功率开关元件，能够高效地实现电压转换和稳压功能，广泛用于工业设备、通信设备及消费类电子产品中。 2. 电机驱动 由于其高耐压和大电流特性，该器件适合用作电机驱动电路中的功率开关，支持直流无刷电机（BLDC）、步进电机和其他类型电机的控制。 3. 逆变器 在太阳能逆变器或UPS（不间断电源）系统中，IXTH30N60L2可用于将直流电转换为交流电，提供稳定的输出波形。 4. 电力电子变换器 该器件适用于各种电力电子变换器，如DC-DC转换器、AC-DC转换器以及DC-AC逆变器，能够满足高效率和低损耗的要求。 5. 电磁兼容性（EMC）滤波器 在EMC滤波器设计中，IXTH30N60L2可以用作功率开关，帮助抑制电磁干扰并确保系统的稳定性。 6. 负载切换与保护 在需要频繁切换负载的应用中，例如汽车电子、工业自动化控制系统等，该MOSFET可以快速响应并提供可靠的开关性能。 综上所述，IXTH30N60L2凭借其高耐压、大电流和低导通电阻的特点，非常适合应用于高功率密度和高效率需求的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30A 600V TO-247MOSFET 30 Amps 600V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 30 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXTH30N60L2Linear L2™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXTH30N60L2 |
| Pd-PowerDissipation | 540 W |
| Pd-功率耗散 | 540 W |
| Qg-GateCharge | 335 nC |
| Qg-栅极电荷 | 335 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 240 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.5 V |
| 上升时间 | 65 ns |
| 下降时间 | 43 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 10700pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 335nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 240 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247 （IXTH） |
| 典型关闭延迟时间 | 123 ns |
| 功率-最大值 | 540W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | Linear L2 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 240 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 正向跨导-最小值 | 10 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 600 V |
| 漏极连续电流 | 30 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 30A （Tc） |
| 系列 | IXTH30N60 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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