ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRFP4368PBF
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Datasheet下载- 型号： IRFP4368PBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFP4368PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFP4368PBF价格参考￥16.88-￥19.54。International RectifierIRFP4368PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 75V 195A（Tc） 520W（Tc） TO-247AC。您可以下载IRFP4368PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFP4368PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRFP4368PBF是一款N沟道功率MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。它广泛应用于多种电力电子场景中，以下为其主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS） - IRFP4368PBF适用于开关电源中的功率转换部分，例如DC-DC转换器和AC-DC适配器。 - 其低导通电阻（Rds(on)）特性能够降低功耗，提高效率，适合高频开关应用。 2. 电机驱动 - 在电动工具、家用电器和工业设备的电机驱动中，该MOSFET可用于控制电机的速度和方向。 - 它能承受高电流和电压，确保在大功率电机驱动中的稳定运行。 3. 逆变器 - IRFP4368PBF常用于太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统中，将直流电转换为交流电。 - 其出色的热性能和电气特性使其能够在逆变器中实现高效能量转换。 4. 负载切换 - 在需要频繁开关高电流负载的应用中（如汽车电子或工业控制系统），IRFP4368PBF可以作为高效的负载切换元件。 - 它的快速开关能力和低损耗特性非常适合此类应用。 5. 电池管理系统（BMS） - 在电动汽车（EV）和储能系统的电池管理中，该MOSFET可用于保护电路和充放电控制。 - 它能够处理高电流并保持低发热，确保电池系统的安全性和可靠性。 6. LED驱动 - 高功率LED照明系统中，IRFP4368PBF可用作驱动元件，提供稳定的电流输出。 - 其高效率和散热性能有助于减少热量积累，延长LED寿命。 总结 IRFP4368PBF凭借其高耐压（55V）、大电流（109A）和低导通电阻（1.8mΩ）的特点，成为许多高功率、高效率应用的理想选择。其应用场景涵盖消费电子、工业设备、汽车电子和可再生能源等领域，能够满足不同行业对高性能功率半导体的需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 75V 195A TO-247ACMOSFET MOSFT 75V 350A 1.85mOhm 380nC Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 350 A |
| Id-连续漏极电流 | 350 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFP4368PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFP4368PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 520 W |
| Pd-功率耗散 | 520 W |
| Qg-GateCharge | 380 nC |
| Qg-栅极电荷 | 380 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.46 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.46 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 75 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 19230pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 570nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.85 毫欧 @ 195A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247AC |
| 功率-最大值 | 520W |
| 功率耗散 | 520 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 1.46 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 栅极电荷Qg | 380 nC |
| 标准包装 | 25 |
| 汲极/源极击穿电压 | 75 V |
| 漏极连续电流 | 350 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 75V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 195A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irfp4368pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irfp4368pbf.spi |
| 配置 | Single Dual Drain |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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