ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > SI4890DY-T1-E3
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
SI4890DY-T1-E3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4890DY-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4890DY-T1-E3价格参考。VishaySI4890DY-T1-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 2.5W(Ta) 8-SO。您可以下载SI4890DY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI4890DY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4890DY-T1-E3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET,常用于需要高效功率控制的电子电路中。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于笔记本电脑、服务器、电源适配器等设备中的 DC-DC 转换器和电源开关,实现高效能与小型化设计。 2. 负载开关:用于控制电池供电设备中的负载切换,如智能手机、平板电脑和便携式仪器,具有低导通电阻、减少功率损耗的优势。 3. 电机驱动:在小型电机或风扇控制电路中作为开关元件,响应速度快,适合高频开关应用。 4. 逆变器与转换器:在汽车电子、工业控制系统中,用于构建 H 桥或 DC-AC 逆变器,驱动感性负载。 5. 保护电路:作为高边或低边开关,用于过流、过压保护电路中,提升系统可靠性。 该器件采用小型封装(如 TSOP),适合高密度 PCB 布局,工作温度范围宽,适用于工业级环境。其低栅极电荷和导通电阻使其在高频开关应用中表现优异,有助于提高系统效率并减少散热需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOICMOSFET 30V 11A 2.5W |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 11 A |
| Id-连续漏极电流 | 11 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4890DY-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI4890DY-T1-E3SI4890DY-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-栅极电荷 | 20 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 12 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 12 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| 上升时间 | 8.5 ns |
| 下降时间 | 17 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 800mV @ 250µA (最小) |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 12 毫欧 @ 11A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4890DY-T1-E3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 35 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | - |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI4890DY-E3 |