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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRL8113STRRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRL8113STRRPBF价格参考。International RectifierIRL8113STRRPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRL8113STRRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRL8113STRRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为IRL8113STRRPBF的MOSFET,属于低电压、N沟道功率MOSFET。其主要特点包括低导通电阻(Rds(on))、高效率和适用于高频开关应用。 该器件的典型应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、同步整流器等电源模块中,提高能效并减小体积。 2. 负载开关与电源分配:在服务器、通信设备和工业控制系统中作为高效负载开关使用。 3. 马达控制:适用于小型直流马达或步进马达驱动电路中的开关元件。 4. 电池供电设备:如笔记本电脑、平板电脑、无人机等便携式电子产品中的电源切换与管理。 5. LED照明系统:用于LED驱动电路中实现恒流控制与调光功能。 6. 汽车电子:如车载充电系统、车身控制模块(BCM)等对效率和空间要求较高的场景。 该MOSFET采用TSSOP封装,适合表面贴装工艺,适用于高密度PCB布局设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | International Rectifier |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRL8113STRRPBF |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | HEXFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.25V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2840pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 6 毫欧 @ 21A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
供应商器件封装 | D2PAK |
功率-最大值 | 110W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 800 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 105A (Tc) |