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  • 型号: IRL8113STRRPBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRL8113STRRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRL8113STRRPBF价格参考。International RectifierIRL8113STRRPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRL8113STRRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRL8113STRRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为IRL8113STRRPBF的MOSFET,属于低电压、N沟道功率MOSFET。其主要特点包括低导通电阻(Rds(on))、高效率和适用于高频开关应用。

该器件的典型应用场景包括:

1. 电源管理:用于DC-DC转换器、同步整流器等电源模块中,提高能效并减小体积。
2. 负载开关与电源分配:在服务器、通信设备和工业控制系统中作为高效负载开关使用。
3. 马达控制:适用于小型直流马达或步进马达驱动电路中的开关元件。
4. 电池供电设备:如笔记本电脑、平板电脑、无人机等便携式电子产品中的电源切换与管理。
5. LED照明系统:用于LED驱动电路中实现恒流控制与调光功能。
6. 汽车电子:如车载充电系统、车身控制模块(BCM)等对效率和空间要求较高的场景。

该MOSFET采用TSSOP封装,适合表面贴装工艺,适用于高密度PCB布局设计。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

International Rectifier

数据手册

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产品图片

产品型号

IRL8113STRRPBF

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

HEXFET®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.25V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2840pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

35nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

6 毫欧 @ 21A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

供应商器件封装

D2PAK

功率-最大值

110W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

标准包装

800

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

105A (Tc)

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