【未分类_FQP20N06TSTU】封装/厂家_FQP20N06TSTU中文资料_价格

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型号： FQP20N06TSTU
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FQP20N06TSTU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP20N06TSTU价格参考。Fairchild SemiconductorFQP20N06TSTU封装/规格：未分类，暂无。您可以下载FQP20N06TSTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQP20N06TSTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQP20N06TSTU 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET/MOSFET - 单一类别。以下是其典型的应用场景：

 1. 开关电源（SMPS）
   - FQP20N06TSTU 的低导通电阻（Rds(on) = 0.075 Ω @ Vgs = 10V）和较高的电流能力（最大漏极电流 Id = 20A），使其非常适合用于开关电源中的功率开关。
   - 它可以作为主开关或同步整流器，应用于降压、升压或反激式转换器中。

 2. 电机驱动
   - 该 MOSFET 可用于小型直流电机的驱动电路中，提供高效的开关控制。
   - 其低 Rds(on) 能减少导通损耗，提高效率，特别适合低电压（如 12V 或 24V 系统）下的电机应用。

 3. 负载开关
   - 在需要快速开启或关闭高电流负载的情况下，FQP20N06TSTU 可用作负载开关。
   - 例如，在汽车电子、工业设备或消费电子产品中，用于控制大功率 LED、加热元件或其他负载。

 4. 电池管理
   - 该器件适用于电池保护电路，能够实现过流保护、短路保护或电池充放电路径的切换。
   - 在电动工具、无人机或便携式设备中，它可以用作电池管理系统（BMS）的一部分。

 5. 逆变器和变频器
   - 在小型逆变器或变频器中，FQP20N06TSTU 可用于构建 H 桥或半桥电路，以实现交流信号的生成或频率调节。
   - 其 60V 的耐压能力足以应对大多数低压逆变器应用。

 6. 音频功放
   - 在 Class D 音频放大器中，该 MOSFET 可用作输出级开关，提供高效的能量转换和低失真性能。

 7. 继电器替代
   - 由于其快速开关特性和低功耗，FQP20N06TSTU 可以替代传统机械继电器，用于频繁开关的场景，例如家电控制或自动化系统。

 总结
FQP20N06TSTU 的主要优势在于其低导通电阻、高电流能力和良好的热特性，适合需要高效功率转换和开关的应用。它广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备等领域。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 60V 20A TO-220
产品分类	FET - 单
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	Fairchild Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	FQP20N06TSTU
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	QFET®
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	590pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	15nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	60 毫欧 @ 10A，10V
供应商器件封装	TO-220
功率-最大值	53W
包装	管件
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-220-3
标准包装	1,000
漏源极电压(Vdss)	60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	20A （Tc）