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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF3205STRRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF3205STRRPBF价格参考。International RectifierIRF3205STRRPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF3205STRRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF3205STRRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的IRF3205STRRPBF是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - FET,MOSFET - 单一类别。其主要应用场景包括: 1. 电源管理: IRF3205STRRPBF适用于各种开关电源(SMPS)、直流-直流转换器和电压调节模块(VRM)。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于提高效率,降低功率损耗。 2. 电机驱动: 该器件常用于小型直流电机、步进电机或伺服电机的驱动电路中,作为开关元件控制电机的启动、停止和速度调节。 3. 电池管理系统(BMS): 在电池保护和管理系统中,IRF3205STRRPBF可用于充放电控制、过流保护和短路保护等场景。 4. 逆变器与UPS系统: 它适合用作逆变器的核心开关元件,将直流电转换为交流电,广泛应用于不间断电源(UPS)、太阳能逆变器等领域。 5. 音频功放: 在D类音频放大器中,IRF3205STRRPBF可用作输出级开关,提供高效能的声音放大功能。 6. 负载开关与电子开关: 由于其快速开关特性和高电流承载能力,它被广泛用于负载切换、继电器替代和其他电子开关应用。 7. LED驱动: 在高功率LED照明系统中,该MOSFET可以实现精确的电流控制,确保LED亮度稳定并延长使用寿命。 8. 汽车电子: 虽然IRF3205STRRPBF并非专为汽车设计,但在一些非关键性车载设备(如车窗升降器、座椅调节器等)中也可使用。 总结来说,IRF3205STRRPBF凭借其出色的电气性能和可靠性,成为众多电力电子应用中的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 55V 110A D2PAKMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 97.3nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 110 A |
Id-连续漏极电流 | 110 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF3205STRRPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRF3205STRRPBF |
Pd-PowerDissipation | 200 W |
Pd-功率耗散 | 200 W |
Qg-GateCharge | 97.3 nC |
Qg-栅极电荷 | 97.3 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 8 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 8 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V to 4 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V to 4 V |
上升时间 | 101 ns |
下降时间 | 65 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3247pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 146nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 8 毫欧 @ 62A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D2PAK |
典型关闭延迟时间 | 50 ns |
功率-最大值 | 200W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK-2 |
工厂包装数量 | 800 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 800 |
正向跨导-最小值 | 44 S |
漏源极电压(Vdss) | 55V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 110A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irf3205s.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irf3205s.spi |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |