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  • 型号: AUIRF7675M2TR
  • 制造商: International Rectifier
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供AUIRF7675M2TR由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 AUIRF7675M2TR价格参考。International RectifierAUIRF7675M2TR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载AUIRF7675M2TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有AUIRF7675M2TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies(英飞凌科技)的AUIRF7675M2TR是一款单N沟道功率MOSFET,广泛应用于需要高效能和高可靠性的场景。其主要应用场景包括:

1. 汽车电子系统:该器件符合AEC-Q100标准,适用于车载环境,如车身控制模块、电动助力转向系统、车载充电器及电池管理系统等。

2. 电源管理:因其低导通电阻与高效率特性,常用于DC-DC转换器、同步整流器及负载开关等电源转换与调节电路中。

3. 工业控制:可用于电机驱动、变频器、伺服控制系统以及自动化设备中的功率开关元件。

4. 消费类电子产品:在笔记本电脑、平板电源适配器、高性能电源管理模块中也有应用。

5. 新能源领域:如太阳能逆变器、储能系统中的功率控制单元。

该MOSFET采用Trench沟槽技术,具备优异的热稳定性和开关性能,适合高温环境下运行,且封装形式为小型表面贴装(如PowerPAK SO-8),节省PCB空间,便于高密度设计。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 150V 90A DIRECTFET

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

International Rectifier

数据手册

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产品图片

产品型号

AUIRF7675M2TR

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

HEXFET®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 100µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1360pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

32nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

56 毫欧 @ 11A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

供应商器件封装

DIRECTFET™ M2

功率-最大值

2.7W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

DirectFET™ 等距 M2

标准包装

4,800

漏源极电压(Vdss)

150V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4.4A (Ta), 18A (Tc)

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