数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供AUIRF7675M2TR由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 AUIRF7675M2TR价格参考。International RectifierAUIRF7675M2TR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载AUIRF7675M2TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有AUIRF7675M2TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的AUIRF7675M2TR是一款单N沟道功率MOSFET,广泛应用于需要高效能和高可靠性的场景。其主要应用场景包括: 1. 汽车电子系统:该器件符合AEC-Q100标准,适用于车载环境,如车身控制模块、电动助力转向系统、车载充电器及电池管理系统等。 2. 电源管理:因其低导通电阻与高效率特性,常用于DC-DC转换器、同步整流器及负载开关等电源转换与调节电路中。 3. 工业控制:可用于电机驱动、变频器、伺服控制系统以及自动化设备中的功率开关元件。 4. 消费类电子产品:在笔记本电脑、平板电源适配器、高性能电源管理模块中也有应用。 5. 新能源领域:如太阳能逆变器、储能系统中的功率控制单元。 该MOSFET采用Trench沟槽技术,具备优异的热稳定性和开关性能,适合高温环境下运行,且封装形式为小型表面贴装(如PowerPAK SO-8),节省PCB空间,便于高密度设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 150V 90A DIRECTFET |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | International Rectifier |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | AUIRF7675M2TR |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | HEXFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 100µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1360pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 32nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 56 毫欧 @ 11A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
供应商器件封装 | DIRECTFET™ M2 |
功率-最大值 | 2.7W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | DirectFET™ 等距 M2 |
标准包装 | 4,800 |
漏源极电压(Vdss) | 150V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.4A (Ta), 18A (Tc) |