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Datasheet下载- 型号： HUF76609D3ST
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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HUF76609D3ST产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HUF76609D3ST由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUF76609D3ST价格参考。Fairchild SemiconductorHUF76609D3ST封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 100V 10A（Tc） 49W（Tc） TO-252AA。您可以下载HUF76609D3ST参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUF76609D3ST 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HUF76609D3ST是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，属于功率MOSFET器件，常用于高效率、高频率的功率开关应用。该器件采用先进的沟槽工艺，具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流能力和良好的热稳定性，适用于需要高效能和紧凑设计的电源系统。 其典型应用场景包括： 1. 电源转换器：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、同步整流电路中，作为高效开关元件使用。 2. 电机驱动：用于无刷直流电机（BLDC）或步进电机的驱动电路中，提供快速开关和低损耗性能。 3. 负载开关：在电源管理系统中作为电子负载开关，实现对负载的快速控制和保护功能。 4. 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电控制电路中，作为高可靠性开关器件。 5. 汽车电子：如车载充电器、电动助力转向系统、LED车灯驱动等，得益于其高可靠性和耐高温特性。 6. 工业控制：在工业自动化设备中用于各种功率控制和开关应用。 HUF76609D3ST采用DPAK（TO-252）封装，便于散热和安装，适合在中高功率应用场景中使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 10A DPAKMOSFET 10a 100V 0.165 Ohm 1Ch HS Logic Gate |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10 A |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor HUF76609D3STUltraFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | HUF76609D3ST |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 49 W |
| Pd-功率耗散 | 49 W |
| Qg-GateCharge | 16 nC |
| Qg-栅极电荷 | 16 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 130 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 130 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 上升时间 | 41 ns |
| 下降时间 | 28 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 425pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 160 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-252-3 |
| 其它名称 | HUF76609D3STFSCT |
| 典型关闭延迟时间 | 30 ns |
| 功率-最大值 | 49W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 260.370 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A （Tc） |
| 系列 | HUF76609 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | HUF76609D3ST_NL |
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