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SI6415DQ-T1-E3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI6415DQ-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI6415DQ-T1-E3价格参考。VishaySI6415DQ-T1-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 30V 1.5W(Ta) 8-TSSOP。您可以下载SI6415DQ-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI6415DQ-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI6415DQ-T1-E3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,其主要应用场景包括但不限于以下几个方面: 1. 电源管理 - DC-DC 转换器:该器件适用于开关电源中的功率转换电路,能够高效地进行电压调节。 - 负载开关:用于控制电路中负载的通断,确保设备在待机或关机时不会漏电。 - 电池保护:在电池管理系统(BMS)中,可用于过流、短路和过温保护。 2. 电机驱动 - 用于小型直流电机或步进电机的驱动电路,提供高效的开关功能,降低功耗。 - 在 H 桥电路中作为开关元件,实现电机的正转、反转和制动。 3. 消费电子 - 智能手机和平板电脑:用于充电管理、音频放大器供电等场景。 - 笔记本电脑:应用于电源适配器、电池充放电管理和内部电源分配。 - 智能家居设备:如智能灯泡、智能插座等,用作开关或电流控制。 4. 通信设备 - 在路由器、交换机和其他网络设备中,用于电源分配和信号隔离。 - 适用于低噪声、高效率的射频(RF)前端电路。 5. 工业自动化 - 传感器接口:用于控制传感器的供电或信号处理。 - 可编程逻辑控制器(PLC):作为输出开关,驱动继电器或其他负载。 6. 汽车电子 - 车载信息娱乐系统:用于音频放大器、显示屏背光控制等。 - 车身电子控制单元(ECU):用于灯光控制、车窗升降等功能模块。 - 电动车辆(EV/HEV):在低压辅助系统中用作开关元件。 特性优势 - 低导通电阻(Rds(on)):有助于减少功率损耗,提高效率。 - 快速开关速度:适合高频应用,降低开关损耗。 - 高可靠性:符合 AEC-Q101 标准(若为车规级版本),适应严苛的工作环境。 综上所述,SI6415DQ-T1-E3 广泛应用于需要高效功率转换和开关控制的场景,特别适合对功耗和可靠性要求较高的设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 6.5A 8-TSSOPMOSFET 30V 6.5A 1.5W |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 6.5 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?70639 |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI6415DQ-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI6415DQ-T1-E3SI6415DQ-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.5 W |
| Pd-功率耗散 | 1.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 19 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 19 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 17 ns |
| 下降时间 | 17 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA (最小) |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 70nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 19 毫欧 @ 6.5A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
| 其它名称 | SI6415DQ-T1-E3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 73 ns |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) |
| 封装/箱体 | TSSOP-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | - |
| 系列 | SI6415DQ |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI6415DQ-E3 |