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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN069-100YS,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN069-100YS,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN069-100YS,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PSMN069-100YS,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN069-100YS,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN069-100YS,115 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,属于高性能硅基晶体管。该器件广泛应用于需要高效率、低功耗和紧凑设计的电源管理系统中。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于 DC-DC 转换器、同步整流电源模块,因其低导通电阻(RDS(on))可减少能量损耗,提高转换效率。 2. 电机驱动:用于工业控制、电动工具和家用电器中的中小功率电机驱动电路,具备良好的开关性能和热稳定性。 3. 电池供电设备:如便携式医疗设备、笔记本电脑和移动电源,适合对空间和能效要求较高的场景。 4. 汽车电子:在车载系统中用于车身控制模块、LED 照明驱动或辅助电源单元,满足 AEC-Q101 可靠性标准(视具体认证情况)。 5. 工业与消费类电子产品:如电源适配器、充电器、UPS 不间断电源等,支持高频开关操作,有助于减小外围元件尺寸。 该型号采用 100V 耐压设计,具备优良的栅极电荷特性与导通性能,封装为 LFPAK(类似 PowerSO8),有利于散热和自动化生产,适合高密度贴装。总体而言,PSMN069-100YS,115 是一款兼顾性能与可靠性的通用型功率 MOSFET,适用于多种中低压大电流开关应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH LFPAKMOSFET Single NChannel 100V 68A 56W 130mOhms |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 12 A |
| Id-连续漏极电流 | 12 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN069-100YS,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN069-100YS,115 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 56 W |
| Pd-功率耗散 | 56 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 130 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 130 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 90 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 90 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 645pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 72.4 毫欧 @ 5A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | LFPAK56, Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-5588-6 |
| 功率-最大值 | 56W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-100,SOT-669,4-LFPAK |
| 封装/箱体 | LFPAK-4 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 17A (Tc) |
| 配置 | Single |