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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI8401DB-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI8401DB-T1-E3价格参考。VishaySI8401DB-T1-E3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI8401DB-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI8401DB-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI8401DB-T1-E3是一款N沟道增强型MOSFET,主要应用于低电压、高效能开关场景。以下是其典型应用场景: 1. 电源管理 - DC-DC转换器:用于降压或升压电路中的开关元件,实现高效的电压转换。 - 负载开关:控制电路中负载的通断,保护下游电路免受过流或短路的影响。 - 电池管理系统 (BMS):适用于锂电池或其他可充电电池的充放电控制,确保电池安全和高效运行。 2. 电机驱动 - 用于小型直流电机或步进电机的驱动电路,提供快速开关和低导通损耗。 - 在H桥或半桥电路中作为开关元件,控制电机的正转、反转或制动。 3. 消费电子设备 - 便携式设备:如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等,用于电源管理和外围设备接口控制。 - USB接口保护:在USB供电或数据传输电路中,用作过流保护或热插拔控制。 4. 通信设备 - 信号切换:在多路复用器或信号切换电路中,作为高速开关使用。 - 功率放大器偏置控制:在射频 (RF) 或其他通信模块中,调节功率放大器的工作状态。 5. 工业应用 - 传感器接口:用于控制传感器的供电或信号切换。 - 继电器替代:在需要高频开关的应用中,取代机械继电器以提高可靠性和寿命。 特性优势 - 低导通电阻 (Rds(on)):减少功率损耗,提升系统效率。 - 高开关速度:适合高频应用,降低开关损耗。 - 小封装尺寸 (DFN1006-2):节省PCB空间,适合紧凑设计。 - 高静电防护能力:增强可靠性,减少损坏风险。 综上,SI8401DB-T1-E3广泛应用于低功耗、小型化和高性能要求的电子设备中,是现代电源管理和信号控制的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET P-CH 20V 3.6A 2X2 4-MFP |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
品牌 | Vishay Siliconix |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | SI8401DB-T1-E3 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | TrenchFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 65 毫欧 @ 1A,4.5V |
供应商器件封装 | 4-Microfoot |
功率-最大值 | 1.47W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 4-XFBGA,CSPBGA |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.6A (Ta) |