Datasheet下载- 型号： SUP45N03-13L-E3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SUP45N03-13L-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SUP45N03-13L-E3价格参考。VishaySUP45N03-13L-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SUP45N03-13L-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SUP45N03-13L-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SUP45N03-13L-E3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，具有低导通电阻、高效率和快速开关特性。该器件广泛应用于需要高效功率转换和控制的电子系统中，常见应用场景包括： 1. 电源管理：用于 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关，提高电源转换效率，降低能耗。 2. 电机驱动：在直流电机、步进电机及无刷电机控制系统中作为功率开关，实现对电机速度和方向的精确控制。 3. 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电控制和保护电路，防止过流、短路等异常情况。 4. 汽车电子：适用于车载电源系统、LED 照明驱动、车载充电器等场景，满足汽车环境对可靠性和效率的要求。 5. 工业自动化：在工业控制设备和自动化系统中作为高频率开关，实现对设备的高效驱动与保护。 该 MOSFET 因其优异的热稳定性和封装小型化特点，也适用于空间受限但要求高性能的设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 45A TO220ABMOSFET 30V 45A 88W |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 45 A |
| Id-连续漏极电流 | 45 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SUP45N03-13L-E3- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SUP45N03-13L-E3SUP45N03-13L-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 88 W |
| Pd-功率耗散 | 88 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 13 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 13 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| 上升时间 | 9 ns |
| 下降时间 | 11 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2730pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 70nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 13 毫欧 @ 45A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 典型关闭延迟时间 | 38 ns |
| 功率-最大值 | 88W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 45A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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