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Datasheet下载- 型号： FDD8778
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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FDD8778产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDD8778由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD8778价格参考。Fairchild SemiconductorFDD8778封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 25V 35A（Tc） 39W（Tc） TO-252AA。您可以下载FDD8778参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDD8778 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDD8778 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型功率MOSFET。该器件广泛应用于需要高效能、高可靠性的电源管理系统中。 主要应用场景包括： 1. DC-DC转换器：FDD8778常用于同步整流型DC-DC转换器中，作为高边或低边开关，提高转换效率，适用于通信设备、服务器电源等。 2. 负载开关与电源管理：因其导通电阻低、开关速度快，适合用于负载开关控制，如笔记本电脑、平板电脑和智能设备中的电源管理模块。 3. 电机驱动与功率控制：可用于电机控制电路、电动工具及电动车控制系统中，作为高效功率开关。 4. 电池管理系统（BMS）：在电池充放电管理电路中，用于控制电流流向，实现高效的能量管理。 5. LED照明驱动：适用于高亮度LED驱动电路，提供稳定高效的电流控制。 该器件采用高性能封装（如PowerPAK® 8x8），具有良好的热性能和电流承载能力，适合高功率密度设计，广泛应用于工业、通信及消费类电子产品中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 35A DPAKMOSFET 25V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 35 A |
| Id-连续漏极电流 | 35 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDD8778PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDD8778 |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 39 W |
| Pd-功率耗散 | 39 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 11.6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 11.6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 22 ns |
| 下降时间 | 32 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 845pF @ 13V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 14 毫欧 @ 35A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | FDD8778CT |
| 典型关闭延迟时间 | 43 ns |
| 功率-最大值 | 39W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 260.370 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 35A （Tc） |
| 系列 | FDD8778 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
