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产品简介:
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STMicroelectronics的STB20NM50-1是一款N沟道增强型功率MOSFET,常用于需要高效能开关操作的电力电子系统中。该器件具有较高的耐压能力(500V)和良好的导通电阻特性,适用于多种工业和消费类应用。 主要应用场景包括: 1. 电源转换器:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源(SMPS)等,用于高效能电能转换与调节。 2. 电机驱动:用于无刷直流电机、步进电机等控制电路中,作为高速开关元件,实现对电机速度与方向的精确控制。 3. 照明系统:如LED驱动电源,用于调光与恒流控制,支持高效率与长寿命的照明方案。 4. 家电控制:在变频空调、洗衣机、电磁炉等家用电器中作为功率开关,控制负载的通断与功率调节。 5. 工业自动化:用于PLC、继电器替代、工业电源等设备中,提供可靠的高频开关性能。 6. 新能源领域:如太阳能逆变器、储能系统中,作为关键功率器件参与能量转换与管理。 该MOSFET具备良好的热稳定性和抗过载能力,适合在中高功率应用场景中使用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 550V 20A I2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | STMicroelectronics |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | STB20NM50-1 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | MDmesh™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1480pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 56nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 250 毫欧 @ 10A,10V |
产品目录页面 | |
供应商器件封装 | I2PAK |
其它名称 | 497-5382-5 |
功率-最大值 | 192W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 550V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 20A (Tc) |