Datasheet下载- 型号： NTLUS3A39PZTBG
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTLUS3A39PZTBG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTLUS3A39PZTBG价格参考。ON SemiconductorNTLUS3A39PZTBG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTLUS3A39PZTBG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTLUS3A39PZTBG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的NTLUS3A39PZTBG是一款P沟道功率MOSFET，属于晶体管中的MOSFET单管产品。该器件主要适用于需要高效、低导通电阻和小封装尺寸的电源管理场景。 典型应用场景包括：便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）中的电池电源开关与负载切换，用于防止反向电流或实现电源路径管理；在DC-DC转换电路中作为同步整流或高端/低端开关，提升转换效率；还可用于过压/过流保护电路、热插拔控制器以及各类低电压、低功耗系统中的电源控制模块。 NTLUS3A39PZTBG采用1.8V至8V的栅极驱动电压，具备较低的阈值电压，适合逻辑电平直接驱动，方便与数字控制器（如MCU或电源管理IC）配合使用。其小尺寸WDFN6封装有利于节省PCB空间，适用于高密度布局的消费类电子产品。 此外，该MOSFET具有低漏电流和良好的热稳定性，可在工业温度范围内稳定工作，广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备及物联网终端等对能效和空间要求较高的场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 3.4A 6UDFN |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTLUS3A39PZTBG |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | µCool™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 920pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10.4nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 39 毫欧 @ 4A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-UDFN（1.6x1.6） |
| 功率-最大值 | 600mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-UFDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.4A （Ta） |
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