Datasheet下载- 型号： FDT55AN06LA0
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDT55AN06LA0由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDT55AN06LA0价格参考。Fairchild SemiconductorFDT55AN06LA0封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDT55AN06LA0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDT55AN06LA0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDT55AN06LA0 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，广泛应用于各类电子设备中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、电源开关和负载开关等电路，用于高效控制电流流动，适用于笔记本电脑、平板、智能手机等便携设备中的电源管理系统。 2. 电机控制：在小型电机驱动电路中作为开关元件，常见于电动工具、无人机、机器人和家电中的电机控制模块。 3. 负载开关与继电器替代：由于其快速开关特性和低导通电阻，常用于替代传统机械继电器，在工业控制、自动化设备和智能家居系统中实现无触点开关控制。 4. 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电控制电路中，保障电池组的安全运行，常见于电动交通工具、储能系统和便携式电源设备中。 5. 汽车电子：符合汽车行业标准，可用于车载电源系统、车身控制模块、LED照明驱动等场景。 该器件具有低导通电阻、高耐压（60V）、封装小巧（如DFN5）、适合高频开关操作，适用于高效率、小体积设计需求的场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 12.1A SOT223-4 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDT55AN06LA0 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1130pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 46 毫欧 @ 11A，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-223-3 |
| 其它名称 | FDT55AN06LA0DKR |
| 功率-最大值 | 8.9W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12.1A （Tc） |
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