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产品简介:
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NVMFS5844NLT1G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款增强型功率MOSFET,属于N沟道MOSFET。该器件广泛应用于需要高效、高速开关性能的电源管理系统中。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、同步整流器等,提升电源转换效率,适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的电源模块。 2. 负载开关与电源分配:在电池供电设备中作为负载开关使用,控制不同模块的供电,实现节能和过载保护。 3. 电机驱动与功率控制:可用于小型电机、风扇或继电器的驱动电路,具备良好的导通电阻和电流承载能力。 4. 汽车电子系统:如车载充电系统、车身控制模块(BCM)、LED照明驱动等,得益于其高可靠性和耐压特性。 5. 工业自动化与控制系统:用于PLC、工业电源及各类传感器供电控制中,支持高频开关操作,减小系统体积并提高响应速度。 该MOSFET采用TDFN封装,具备低导通电阻(Rds(on))、高耐压(Vds=60V)和良好热性能,适合表面贴装工艺,适用于紧凑型高效能电子产品设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 60V 11.2S SO-8FL |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NVMFS5844NLT1G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1460pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 12 毫欧 @ 10A,10V |
供应商器件封装 | 5-DFN(5x6) |
功率-最大值 | 3.7W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-TDFN 裸焊盘(5 根引线) |
标准包装 | 1,500 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 11.2A (Ta) |