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  • 型号: VN10LPSTOB
  • 制造商: Diodes Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供VN10LPSTOB由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VN10LPSTOB价格参考。Diodes Inc.VN10LPSTOB封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载VN10LPSTOB参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有VN10LPSTOB 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Diodes Incorporated 的 VN10LPSTOB 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,常用于中低功率的开关应用。该器件具有低导通电阻、高速开关特性以及良好的热稳定性,适合用于电源管理和负载开关等场景。

其主要应用场景包括:

1. 电源管理:如DC-DC转换器、稳压模块中,作为高效的开关元件使用。  
2. 负载开关:用于控制电池供电设备中的负载连接与断开,如便携式电子产品、电源管理系统等。  
3. 马达驱动:适用于小型直流马达或步进马达的驱动控制,常见于家电、电动工具中。  
4. LED照明:在LED驱动电路中作为调光或开关控制元件。  
5. 保护电路:用于过流保护、反向电流阻断等场合,保障系统安全。  

该器件采用 TO-252(DPAK)封装,便于散热和焊接,适用于表面贴装工艺,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等领域。其低栅极电荷和快速恢复特性也使其在高频开关应用中表现良好。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Diodes Incorporated

数据手册

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产品图片

产品型号

VN10LPSTOB

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

60pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

5 欧姆 @ 500mA,10V

供应商器件封装

TO-92-3

功率-最大值

625mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线

标准包装

2,000

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

270mA (Ta)

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