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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFU3303PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFU3303PBF价格参考。International RectifierIRFU3303PBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFU3303PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFU3303PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为IRFU3303PBF的器件是一款N沟道功率MOSFET,属于晶体管中的FET(场效应晶体管)类别。该器件广泛应用于需要高效、高速开关性能的场合。 IRFU3303PBF的主要应用场景包括: 1. 电源管理:常用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关中,适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的高效电源系统。 2. 电机控制:在直流电机驱动和步进电机控制中作为开关元件使用,具备快速响应和高耐压特性,适合工业自动化设备和电动工具。 3. 电池管理系统:用于电池充放电控制电路中,支持高效率和低导通损耗,有助于提升电池使用寿命和系统安全性。 4. 汽车电子:适用于车载电源系统、车身控制模块和LED照明驱动,具备良好的热稳定性和可靠性,符合汽车工业标准。 5. 消费类电子产品:如电源适配器、充电器和智能家电中,用于实现高效能和小型化设计。 该MOSFET具有低导通电阻(Rds(on))、高电流容量和优良的热性能,适合高频开关应用,有助于提高系统效率并减少散热设计复杂度。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 33A I-PAKMOSFET MOSFT 30V 33A 31mOhm 29nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 33 A |
| Id-连续漏极电流 | 33 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFU3303PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFU3303PBF |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 57 W |
| Pd-功率耗散 | 57 W |
| Qg-GateCharge | 19.3 nC |
| Qg-栅极电荷 | 19.3 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 31 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 31 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 99 ns |
| 下降时间 | 28 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 750pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 31 毫欧 @ 18A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 其它名称 | *IRFU3303PBF |
| 典型关闭延迟时间 | 16 ns |
| 功率-最大值 | 57W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 31 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB |
| 封装/箱体 | IPAK-3 |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 75 |
| 正向跨导-最小值 | 9.3 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 33 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 33A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |