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IRFS4510TRLPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFS4510TRLPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFS4510TRLPBF价格参考。International RectifierIRFS4510TRLPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 61A(Tc) 140W(Tc) D2PAK。您可以下载IRFS4510TRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFS4510TRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为IRFS4510TRLPBF的器件是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于功率场效应晶体管,常用于高效的功率开关应用。 该器件的主要应用场景包括: 1. 电源管理:IRFS4510TRLPBF适用于各类电源转换系统,如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等,用于提高电源转换效率和稳定性。 2. 电机控制:在电动工具、家用电器和工业自动化设备中,该MOSFET可用于控制电机的启停与转速,具有快速开关和低导通电阻的特点。 3. 负载开关:用于智能电源管理系统中作为负载开关,实现对设备各部分电源的独立控制,达到节能与保护目的。 4. 电池管理系统(BMS):在锂电池管理中,用于充放电控制与保护电路,防止过流与短路。 5. 照明系统:如LED驱动电路中,作为高效开关元件使用。 该MOSFET采用Trench沟槽技术,具备低导通电阻、高耐压和良好热性能,适用于高效率、小体积的功率电子设备设计。其封装形式为PG-TDSON(也称SuperSO8),适合表面贴装,适用于自动化生产。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N CH 100V D2PAKMOSFET 100V 63A 13.9mOhm HEXFET 143W 54nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 61 A |
Id-连续漏极电流 | 61 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFS4510TRLPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRFS4510TRLPBF |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 140 W |
Pd-功率耗散 | 140 W |
Qg-GateCharge | 87 nC |
Qg-栅极电荷 | 87 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 13.9 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 13.9 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 100µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3180pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 87nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 13.9 毫欧 @ 37A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D²PAK |
其它名称 | IRFS4510TRLPBFCT |
功率-最大值 | 140W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | International Rectifier |
商标名 | StrongIRFET |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 13.9 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK-2 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | 100 V |
漏极连续电流 | 61 A |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 61A (Tc) |