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产品简介:
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Renesas Electronics America的型号RJK0328DPB-01#J0是一款由瑞萨电子(原NEC电子)制造的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于N沟道功率MOSFET。该器件广泛应用于需要高效、低导通电阻和快速开关特性的场合。 主要应用场景包括: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、电池充电器等,用于提高电源效率和减小体积。 2. 电机控制:在电动工具、家用电器及工业自动化设备中作为开关元件使用。 3. 负载开关:用于智能电表、服务器电源管理和汽车电子系统中实现对负载的精确控制。 4. 逆变器与变频器:在太阳能逆变器、UPS(不间断电源)系统中用于电能转换。 5. 汽车电子:如车载充电系统、LED照明驱动、车身控制模块等。 该MOSFET具有低导通电阻、高耐压、高电流能力等特点,适合高频开关应用,有助于提升整体系统效率并减少发热。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Renesas Electronics America |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | RJK0328DPB-01#J0 |
PCN组件/产地 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6380pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 42nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.1 毫欧 @ 30A,10V |
供应商器件封装 | LFPAK |
其它名称 | RJK0328DPB-01#J0DKR |
功率-最大值 | 65W |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-100,SOT-669 |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 60A (Ta) |