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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供TT8U2TCR由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TT8U2TCR价格参考。ROHM SemiconductorTT8U2TCR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载TT8U2TCR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TT8U2TCR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的TT8U2TCR是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于单N沟道功率MOSFET。该器件广泛应用于需要高效开关和功率控制的电子电路中。 典型应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、稳压器和开关电源中,实现高效的能量转换和调节。 2. 电机驱动:在小型电机控制电路中作为开关元件,用于机器人、家电和自动化设备中。 3. 负载开关:用于控制电池供电设备中的电源通断,如便携式电子产品、笔记本电脑外设等。 4. LED照明:在LED驱动电路中作为调光或开关控制元件,提供稳定和高效的电流控制。 5. 汽车电子:适用于车载系统中的电源控制模块,如车灯控制、电动窗驱动等。 该MOSFET具有低导通电阻、高可靠性和小型封装,适合高密度PCB设计和对空间有要求的应用场景。具体使用时应参考数据手册,确保符合电压、电流和热设计要求。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET P-CH +SBD TSST8 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 二极管(隔离式) |
FET类型 | MOSFET P 通道、 肖特基,金属氧化物! |
品牌 | Rohm Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | TT8U2TCR |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 850pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.7nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 105 毫欧 @ 2.4A,4.5V |
供应商器件封装 | 8-TSST |
功率-最大值 | 1W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SMD,扁平引线 |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.4A (Ta) |