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  • 型号: TT8U2TCR
  • 制造商: ROHM Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供TT8U2TCR由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TT8U2TCR价格参考。ROHM SemiconductorTT8U2TCR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载TT8U2TCR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TT8U2TCR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Rohm Semiconductor的TT8U2TCR是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于单N沟道功率MOSFET。该器件广泛应用于需要高效开关和功率控制的电子电路中。

典型应用场景包括:

1. 电源管理:用于DC-DC转换器、稳压器和开关电源中,实现高效的能量转换和调节。

2. 电机驱动:在小型电机控制电路中作为开关元件,用于机器人、家电和自动化设备中。

3. 负载开关:用于控制电池供电设备中的电源通断,如便携式电子产品、笔记本电脑外设等。

4. LED照明:在LED驱动电路中作为调光或开关控制元件,提供稳定和高效的电流控制。

5. 汽车电子:适用于车载系统中的电源控制模块,如车灯控制、电动窗驱动等。

该MOSFET具有低导通电阻、高可靠性和小型封装,适合高密度PCB设计和对空间有要求的应用场景。具体使用时应参考数据手册,确保符合电压、电流和热设计要求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P-CH +SBD TSST8

产品分类

FET - 单

FET功能

二极管(隔离式)

FET类型

MOSFET P 通道、 肖特基,金属氧化物!

品牌

Rohm Semiconductor

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

TT8U2TCR

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

850pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

6.7nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

105 毫欧 @ 2.4A,4.5V

供应商器件封装

8-TSST

功率-最大值

1W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

8-SMD,扁平引线

标准包装

3,000

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.4A (Ta)

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