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Datasheet下载- 型号： IRFR9N20DPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR9N20DPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR9N20DPBF价格参考。International RectifierIRFR9N20DPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFR9N20DPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR9N20DPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为IRFR9N20DPBF的MOSFET属于P沟道功率MOSFET，常用于需要高效能和高可靠性的电源管理与功率控制应用中。 该器件的主要应用场景包括： 1. 电源管理系统：适用于DC-DC转换器、同步整流器等电源管理电路，尤其在需要高效能转换的场合，如服务器电源、通信设备电源模块等。 2. 负载开关与电源分配：由于其具备良好的导通电阻和电流控制能力，适合用作高侧或低侧开关，控制电源分配，例如在电池管理系统、工业控制系统中。 3. 马达控制与驱动器：在小型电机控制、风扇驱动、继电器替代方案中，IRFR9N20DPBF可用于实现快速开关和高效能控制。 4. 汽车电子：该器件符合RoHS和绿色环保标准，且具有较高的可靠性和热稳定性，适用于汽车电子系统中的功率控制，如车身控制模块、车载电源系统等。 5. 消费类电子产品：在笔记本电脑、电源适配器、充电器等设备中，用于功率开关和电源管理，以提高能效和减小体积。 该MOSFET采用DPAK封装，具备良好的散热性能，适合表面贴装工艺，广泛应用于中高功率、高效率的电子系统设计中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAKMOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 380mOhms 18nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 9.4 A |
| Id-连续漏极电流 | 9.4 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR9N20DPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFR9N20DPBF |
| Pd-PowerDissipation | 86 W |
| Pd-功率耗散 | 86 W |
| Qg-GateCharge | 18 nC |
| Qg-栅极电荷 | 18 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 380 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 380 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 16 ns |
| 下降时间 | 9.3 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 560pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 27nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 380 毫欧 @ 5.6A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | *IRFR9N20DPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 13 ns |
| 功率-最大值 | 86W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.4A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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