Datasheet下载- 型号： IXTH12N150
- 制造商： IXYS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTH12N150由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTH12N150价格参考。IXYSIXTH12N150封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXTH12N150参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXTH12N150 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTH12N150是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于功率晶体管，常用于高电压和中等电流的开关应用。该器件具有1500V的漏源击穿电压和12A的额定漏极电流，适合工作在高压环境中。 应用场景主要包括： 1. 电源转换设备：如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器，适用于需要高效能和高压处理能力的设计。 2. 电机驱动与控制：可用于工业自动化设备中的电机控制器，特别是在需要高频开关和效率优化的场合。 3. 照明系统：例如高强度放电灯（HID）镇流器或LED路灯驱动电源，因其具备高压耐受能力。 4. 逆变器与UPS系统：在不间断电源（UPS）或太阳能逆变器中，作为功率开关元件使用。 5. 测试仪器与工业设备：用于高电压测试设备、负载开关、继电器替代方案等。 由于其为单管封装，IXTH12N150适用于分立式设计，便于散热管理和电路布局，在需要可靠性和稳定性的工业级应用中表现良好。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 1500V 12A T0-247MOSFET >1200V High Voltage Power MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 12 A |
| Id-连续漏极电流 | 12 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXTH12N150- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXTH12N150 |
| Pd-PowerDissipation | 890 W |
| Pd-功率耗散 | 890 W |
| Qg-GateCharge | 106 nC |
| Qg-栅极电荷 | 106 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 1.5 kV |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1.5 kV |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.5 V |
| 上升时间 | 16 ns |
| 下降时间 | 14 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3720pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 106nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2 欧姆 @ 6A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247 （IXTH） |
| 典型关闭延迟时间 | 53 ns |
| 功率-最大值 | 890W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | IXYS |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 正向跨导-最小值 | 8 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 1500V（1.5kV） |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Tc） |
| 系列 | IXTH12N150 |
| 通道模式 | Enhancement |
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