【未分类_IXFH42N50P2】封装/厂家_IXFH42N50P2中文资料_价格

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型号： IXFH42N50P2
制造商： IXYS
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IXFH42N50P2由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFH42N50P2价格参考。IXYSIXFH42N50P2封装/规格：未分类，暂无。您可以下载IXFH42N50P2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFH42N50P2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IXYS品牌的IXFH42N50P2是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别。其主要应用场景如下：

1. 开关电源（SMPS）：  
   IXFH42N50P2具有高耐压能力（500V），适合用于开关电源中的高频开关应用。它能够高效地控制电压和电流的通断，适用于AC-DC或DC-DC转换器。

2. 电机驱动：  
   该器件可用于驱动中小型电机，特别是在需要高电压驱动的应用中，例如工业自动化设备、家用电器（如风扇、泵）等。

3. 逆变器：  
   在太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中，IXFH42N50P2可以作为关键的功率开关元件，实现直流到交流的转换。

4. 电磁阀控制：  
   高压电磁阀通常需要较高的驱动电压，IXFH42N50P2的500V耐压特性使其非常适合用于电磁阀的开关控制。

5. 负载切换：  
   在需要频繁切换高电压负载的应用中，这款MOSFET可以提供可靠的性能，例如汽车电子系统中的负载切换。

6. 脉宽调制（PWM）控制：  
   由于其低导通电阻和快速开关速度，IXFH42N50P2适用于PWM控制电路，用于调节输出电压或电流。

7. 不间断电源（UPS）：  
   在UPS系统中，该MOSFET可用于电池充放电管理以及逆变电路，确保系统的稳定运行。

8. 其他高压应用：  
   包括高压测试设备、医疗设备（如X射线机）、焊接设备等需要高电压控制的场景。

总结来说，IXFH42N50P2凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于各种高压、高频和高效能需求的电力电子领域。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	MOSFET N-CH 500V 42A TO247MOSFET PolarP2 Power MOSFET
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	42 A
Id-连续漏极电流	42 A
品牌	IXYS
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,IXYS IXFH42N50P2PolarP2™ HiPerFET™
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IXFH42N50P2
Pd-PowerDissipation	830 W
Pd-功率耗散	830 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	145 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	145 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	500 V
Vds-漏源极击穿电压	500 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 30 V
Vgs-栅源极击穿电压	30 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4.5V @ 4mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	5300pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	92nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	145 毫欧 @ 500mA，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-247AD （IXFH）
功率-最大值	830W
包装	管件
单位重量	6.500 g
商标	IXYS
商标名	Polar2 HiPerFET
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-247-3
封装/箱体	TO-247-3
工厂包装数量	30
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	30
漏源极电压(Vdss)	500V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	42A （Tc）
系列	IXFH42N50
配置	Single