ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > STD5NM60T4
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
STD5NM60T4产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STD5NM60T4由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STD5NM60T4价格参考。STMicroelectronicsSTD5NM60T4封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 600V 5A(Tc) 96W(Tc) DPAK。您可以下载STD5NM60T4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STD5NM60T4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STD5NM60T4是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于需要高效能和高可靠性的电力电子设备中。该器件具有600V的漏源击穿电压和5A的连续漏极电流能力,适合用于中高功率的开关应用。 主要应用场景包括: 1. 电源适配器与充电器:用于笔记本电脑、手机等电子设备的开关电源中,实现高效的能量转换。 2. 电机驱动:在小型电机控制电路中作为开关元件,适用于电动工具、风扇、泵等设备。 3. 照明系统:如LED驱动器中,用于调节电流和实现高效电源管理。 4. 工业自动化设备:作为功率开关用于PLC、继电器驱动、传感器电源管理等场合。 5. 家用电器:如电磁炉、微波炉、洗衣机等,用于功率控制与电源管理。 6. 电池管理系统:用于充放电控制电路中,实现高效能与安全性管理。 该MOSFET采用TO-220封装,具有良好的散热性能,适合通孔安装,适用于多种通用和中高功率应用。其低导通电阻和快速开关特性有助于提高系统效率并减少发热。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 600V 5A DPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | STMicroelectronics |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | STD5NM60T4 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | MDmesh™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 400pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1 欧姆 @ 2.5A,10V |
产品目录页面 | |
供应商器件封装 | D-Pak |
其它名称 | 497-3163-2 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF67246?referrer=70071840 |
功率-最大值 | 96W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
标准包装 | 2,500 |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 8A (Tc) |