Datasheet下载- 型号： SI7356ADP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7356ADP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7356ADP-T1-GE3价格参考。VishaySI7356ADP-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI7356ADP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7356ADP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7356ADP-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，常用于需要高效功率控制和低导通电阻的应用场景。该器件具有低 Rds(on)、高可靠性和小型封装，适用于以下主要应用场景： 1. 电源管理：用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池供电设备中的电源控制，如笔记本电脑、平板电脑和移动设备。 2. 负载开关与热插拔控制：在服务器、通信设备和工业控制系统中，作为高效率的负载开关，实现对电源的快速通断控制，防止过载和短路。 3. 电机驱动与继电器替代：用于低功率电机控制或固态继电器设计，提高系统响应速度和可靠性。 4. 汽车电子：适用于车载电源系统、车身控制模块（如车窗、门锁控制）等对空间和效率有要求的场景。 5. 消费类电子产品：如智能家电、充电器和适配器中，用于高效节能的电源管理方案。 该 MOSFET 适合需要低电压驱动、高效率和小尺寸设计的应用，广泛应用于便携式设备和高密度电路中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI7356ADP-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6215pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 145nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3 毫欧 @ 20A，10V |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 功率-最大值 | 83W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 40A （Tc） |
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