Datasheet下载- 型号： FDB6021P
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDB6021P由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDB6021P价格参考。Fairchild SemiconductorFDB6021P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDB6021P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDB6021P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDB6021P 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型功率MOSFET。它常用于需要高效、快速开关特性的应用场景中。 典型应用场景包括： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关，适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的电源系统。 2. 马达控制：用于直流马达驱动器、电动工具和机器人控制系统中，提供高效、可靠的开关控制。 3. 电池供电设备：如移动电源、电动自行车和无人机等，用于提升能量转换效率，延长续航时间。 4. 工业自动化：在PLC、工业电机驱动和自动化控制系统中，作为功率开关使用。 5. 汽车电子：用于车载电源系统、LED照明驱动和电池管理系统（BMS）中。 该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度和良好的热稳定性，适合高频开关应用。其封装形式（如PowerT66）也有利于散热，适用于中高功率应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 28A TO-263AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDB6021P |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1890pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 28nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 30 毫欧 @ 14A，4.5V |
| 供应商器件封装 | TO-263AB |
| 功率-最大值 | 37W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 28A （Ta） |
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