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  • 型号: FQA90N10V2
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQA90N10V2由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQA90N10V2价格参考。Fairchild SemiconductorFQA90N10V2封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQA90N10V2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQA90N10V2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQA90N10V2 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于需要高效功率转换的场景。其主要应用场景包括:

1. 电源管理:用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)中,实现高效的电压转换和稳压功能。

2. 电机控制:在直流电机驱动器或无刷电机控制系统中作为开关元件,控制电机的启停与转速。

3. 逆变器系统:如UPS不间断电源或太阳能逆变器中,用于将直流电转换为交流电输出。

4. 汽车电子:用于车载充电系统、电池管理系统(BMS)等对可靠性和效率要求较高的场合。

5. 工业自动化设备:如PLC控制模块、伺服驱动器等,用于高频率开关操作和负载控制。

该器件具有低导通电阻、高耐压(100V)和大电流承载能力(90A),适合高频开关应用,有助于减少能量损耗并提升整体系统效率。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 100V 105A TO-3P

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Fairchild Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

FQA90N10V2

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

QFET®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

6150pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

191nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

10 毫欧 @ 52.5A,10V

供应商器件封装

TO-3P

功率-最大值

330W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-3P-3,SC-65-3

标准包装

30

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

105A (Tc)

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